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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> RB751V40T1G
RB751V40T1G PDF预览

RB751V40T1G

更新时间： 2024-01-01 03:07:36
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 整流二极管肖特基二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 123K
描述
Schottky Barrier Diode

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RB751V40T1G 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CASE 477-02, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.03 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.2 W认证状态：COMMERCIAL
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

RB751V40T1G 数据手册

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RB751V40T1G  
Schottky Barrier Diode  
These Schottky barrier diodes are designed for high speed switching  
applications, circuit protection, and voltage clamping. Extremely low  
forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount  
package is excellent for hand held and portable applications where  
space is limited.  
http://onsemi.com  
Features  
Extremely Fast Switching Speed  
Extremely Low Forward Voltage -- 0.28 Volts (Typ) @ IF = 1 mAdc  
Low Reverse Current  
40 V SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
1
2
CATHODE  
ANODE  
2
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
1
V
RM  
SOD--323  
CASE 477  
STYLE 1  
V
30  
Vdc  
mA  
mA  
R
Forward Continuous Current (DC)  
Peak Forward Surge Current  
Electrostatic Discharge  
I
30  
F
I
500  
FSM  
MARKING DIAGRAM  
E
HBM Class: 1C  
MM Class: A  
SD  
5E MG  
G
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR--5 Board,  
P
200  
mW  
D
5E = Specific Device Code  
(Note 1) T = 25C  
A
M
= Date Code  
Derate above 25C  
1.57  
635  
mW/C  
C/W  
G
= Pb--Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Thermal Resistance  
Junction--to--Ambient  
R
θ
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
-- 5 5 t o  
+150  
C  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR--5 Minimum Pad  
†
Device  
Package  
Shipping  
RB751V40T1G SOD--323  
(Pb--Free)  
3000/Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
October, 2010 -- Rev. 4  
RB751V40T1/D  
1234

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RB751V40T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
RB751V40T1 ONSEMI

类似代替

 40 V SCHOTTKY BARRIER DIODE
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