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RB751V-40

更新时间： 2024-01-31 20:42:16

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TYSEMI		二极管光电二极管
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1页	55K
描述
Small surface mounting type.(EMD2,UMD2)

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RB751V-40 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW POWER LOSS
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.03 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

RB751V-40 数据手册

Product specification

RB751V-40

SOD-323

Unit: mm

+0.1

-0.1

+0.05

0.85

-0.05

1.7

Features

Small surface mounting type.(EMD2,UMD2)

Low reverse current and low forward voltage.

High reliability.

+0.1

-0.1

2.6

1.0max

0.475

0.375

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Characteristic

Peak reverse voltage

DC reverse volatge

Symbol

V^RM

Limits

Unit

V^R

I^o

Mean rectifying current

Peak forward surge current*

Junction temperature

Storage temperature

*60 Hz for 1

200

125

I^FSM

T^j

-40 to +125

T^stg

Electrical Characteristics Ta = 25

Characteristic

Forward voltage

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

0.37

0.5

Unit

V^F

I^R

I^F= 1 mA

I^F= 30 V

Reverse current

capacitance between terminal

C^T

V^R= 1 V, f = 1MHz

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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