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RB751V40

更新时间： 2024-01-25 03:30:47

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Schottky barrier diodeProduction

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RB751V40 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否无铅：	不含铅
是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-76	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.55	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.37 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	0.2 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.12 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	40 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30

RB751V40 数据手册

RB751V40

Schottky barrier diode

1 October 2022

Product data sheet

1. General description

Planar Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection, in a very small

SOD323 (SC-76) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

2. Features and benefits

•

Low forward voltage

•

Low capacitance

3. Applications

•

Ultra high-speed switching

Voltage clamping

Line termination

Reverse polarity protection

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

I_F

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

120

Unit

forward current

V_RRM

repetitive peak reverse

voltage

V_F

forward voltage

I_F= 1 mA; t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02;

pulsed; T_amb= 25 °C

370

5. Pinning information

Table 2. Pinning information

Symbol

Description

cathode[1]

anode

Simplified outline

Graphic symbol

sym001

SOD323

[1] The marking bar indicates the cathode.

12 3 4 5 6 7

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