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Q67000-S245

更新时间： 2024-09-13 22:44:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	135K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

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Q67000-S245 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	0.17 A	最大漏源导通电阻：	10 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	6 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

Q67000-S245 数据手册

BSS 123

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= 0.8...2.0V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Marking

DS(on)

Ω

BSS 123

100 V

0.17 A

SOT-23

SAs

Type

BSS 123

Ordering Code

Q62702-S512

Q67000-S245

Tape and Reel Information

E6327

E6433

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

100

DGR

Ω

= 20 k

100

Gate source voltage

Gate-source peak voltage,aperiodic

Continuous drain current

T = 28 °C

0.17

0.68

0.36

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Semiconductor Group

Sep-13-1996

12 3 4 5 6 7 8

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