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Q67000-S566

更新时间： 2024-09-14 22:44:11

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	140K
描述
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

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Q67000-S566 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	50 V
最大漏极电流 (ID)：	0.22 A	最大漏源导通电阻：	6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	8 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

Q67000-S566 数据手册

BSS 138

SIPMOS Small-Signal Transistor

• N channel

• Enhancement mode

• Logic Level

• V

= 0.8...2.0V

GS(th)

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Marking

DS(on)

Ω

BSS 138

50 V

0.22 A

3.5

SOT-23

SSs

Type

BSS 138

Ordering Code

Q67000-S566

Q67000-S216

Tape and Reel Information

E6327

E6433

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Drain source voltage

Drain-gate voltage

DGR

Ω

= 20 k

Gate source voltage

Gate-source peak voltage,aperiodic

Continuous drain current

T = 31 °C

0.22

0.88

0.36

DC drain current, pulsed

Dpuls

T = 25 °C

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Semiconductor Group

Sep-13-1996

12 3 4 5 6 7 8

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