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PSMN013-100YSE

更新时间： 2024-11-17 11:13:19
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 836K
描述
N-channel 100 V 13 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56Production

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PSMN013-100YSE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.66
雪崩能效等级（Eas）：125 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：82 A最大漏源导通电阻：0.013 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-235
JESD-30 代码：R-PSSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：238 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：330 A
参考标准：IEC-60134表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PSMN013-100YSE 数据手册

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PSMN013-100YSE  
N-channel 100 V 13 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56  
18 December 2012  
Product data sheet  
1. General description  
Standard level N-channel MOSFET in a LFPAK56 package qualified to 175 °C. Part of  
Nexperia's "NextPower Live" portfolio, the PSMN013-100YSE complements the latest  
"hot-swap" controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn  
on, whilst offering a low RDS(on) characteristic to keep temperatures down and efficiency  
up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48 V backplane /  
supply rail.  
2. Features and benefits  
Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation  
Very low RDS(on) for low conduction losses  
•
•
3. Applications  
Electronic fuse  
Hot swap  
Load switch  
Soft start  
•
•
•
•
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
100  
58  
Unit  
V
VDS  
ID  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
Tmb = 100 °C; VGS = 10 V; Fig. 1  
-
-
-
-
-
-
A
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 2  
238  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
Dynamic characteristics  
VGS = 10 V; ID = 20 A; Tj = 25 °C;  
Fig. 12  
-
11  
13  
mΩ  
QGD  
gate-drain charge  
total gate charge  
VGS = 10 V; ID = 20 A; VDS = 50 V;  
Fig. 14; Fig. 15  
-
-
26  
75  
-
-
nC  
nC  
QG(tot)  
 
 
 
 
1234567...13

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