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PSMN013-100YSE

更新时间： 2024-11-16 20:58:27

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	285K
描述
82A, 100V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK56-4

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PSMN013-100YSE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK56-4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-235
JESD-30 代码：	R-PSSO-G4	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	330 A
参考标准：	IEC-60134	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PSMN013-100YSE 数据手册

PSMN013-100YSE

N-channel 100 V 13 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56

18 December 2012

Product data sheet

1. General description

Standard level N-channel MOSFET in a LFPAK56 package qualified to 175 °C. Part of

NXP's "NextPower Live" portfolio, the PSMN013-100YSE complements the latest "hot-

swap" controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn on,

whilst offering a low R_DS(on)characteristic to keep temperatures down and efficiency up in

continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48 V backplane / supply

rail.

2. Features and benefits

Enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation

Very low R_DS(on)for low conduction losses

•

3. Applications

Electronic fuse

Hot swap

Load switch

Soft start

•

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

100

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

T_mb= 100 °C; V_GS= 10 V; Fig. 1

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; Fig. 2

238

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

V_GS= 10 V; I_D= 20 A; T_j= 25 °C;

Fig. 12

mΩ

Q_GD

gate-drain charge

total gate charge

V_GS= 10 V; I_D= 20 A; V_DS= 50 V;

Fig. 14; Fig. 15

Q_G(tot)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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