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PMEG3010BEV,115

更新时间: 2024-11-06 14:44:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 91K
描述
PMEGXX10BEA; PMEGXX10BEV - Very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers SOT 6-Pin

PMEG3010BEV,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT包装说明:ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6
针数:6Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.45配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.13 VJESD-30 代码:R-PDSO-F6
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:10 A元件数量:1
端子数量:6最高工作温度:150 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:30 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

PMEG3010BEV,115 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PMEGXX10BEA;  
PMEGXX10BEV  
1 A very low VF MEGA Schottky  
barrier rectifier  
Product data sheet  
2004 Jun 14  
Supersedes data of 2004 Apr 02  

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