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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0135 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS4410A | FAIRCHILD |
功能相似  |
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PHN1013T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 10A I(D) | SO |
|
| PHN1015 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
|
| PHN1018 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
|
| PHN1018/T3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET SOT-96 |
|
| PHN103 | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode MOS transistor |
|
| PHN103/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, PLASTIC, SOP-8, F |
|
| PHN103112 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo |
|
| PHN103118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA, FET General Purpo |
|
| PHN103S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO |
|
| PHN103T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 8600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SO-8, FET General |
|
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