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FDS4410A

更新时间： 2024-02-05 08:25:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 112K
描述
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET

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FDS4410A 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.31配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：0.0135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4410A 数据手册

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May 2005  
FDS4410A  
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench® MOSFET  
Features  
General Description  
■ 10 A, 30 V.  
R
R
= 13.5 mΩ @ V = 10 V  
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fair-  
child Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has  
been especially tailored to minimize the on-state resistance and  
yet maintain superior switching performance.  
DS(ON)  
DS(ON)  
GS  
= 20 mΩ @ V = 4.5 V  
GS  
■ Fast switching speed  
■ Low gate charge  
These devices are well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and fast  
switching are required.  
■ High performance trench technology for extremely low  
R
DS(ON)  
■ High power and current handling capability  
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
D
D
G
S
SO-8  
S
S
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
30  
V
V
A
DSS  
V
20  
GSS  
I
Drain Current  
– Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
10  
50  
D
P
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
°C  
D
1.0  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
J
STG  
Thermal Characteristics  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1)  
50  
125  
25  
°C/W  
θJA  
θJC  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4410A  
FDS4410A  
13"  
12mm  
2500 units  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS4410A Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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FDS4410A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STS11N3LLH5 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 30 V, 0.0117 Ω, 11 A, SO-8 STripFE
PHN1013 NXP

功能相似

 N-channel enhancement mode MOS transistor
STS11NF30L STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 11A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET

与FDS4410A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4410A_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS4410L86Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS4410L99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS4410S62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FDS4435 FAIRCHILD

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 		P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDS4435_01 FAIRCHILD

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 		30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4435A FAIRCHILD

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 		P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDS4435A_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS4435AD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS4435AF011 FAIRCHILD

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