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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STS11N3LLH5
STS11N3LLH5 PDF预览

STS11N3LLH5

更新时间： 2024-09-27 12:28:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 732K
描述
N-channel 30 V, 0.0117 Ω, 11 A, SO-8 STripFET™ V Power MOSFET

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STS11N3LLH5 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：ROHS COMPLIANT, SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.58Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.019 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.7 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS11N3LLH5 数据手册

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STS11N3LLH5  
N-channel 30 V, 0.0117 Ω, 11 A, SO-8  
STripFET™ V Power MOSFET  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
5
< 0.0132 Ω 11 A (1)  
8
STS11N3LLH5  
30 V  
1. The value is rated according Rthj-pcb  
4
■ R  
* Q industry benchmark  
DS(on)  
g
1
■ Extremely low on-resistance R  
DS(on)  
SO-8  
■ Very low switching gate charge  
■ High avalanche ruggedness  
■ Low gate drive power losses  
Applications  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
■ Switching applications  
Description  
This device is an N-channel Power MOSFET  
developed using STMicroelectronics'  
STripFET™V technology. The device has been  
optimized to achieve very low on-state resistance,  
contributing to an FOM that is among the best in  
its class..  
Table 1.  
Order code  
STS11N3LLH5  
Device summary  
Marking  
Package  
SO-8  
Packaging  
11D3L  
Tape and reel  
June 2011  
Doc ID 15982 Rev 2  
1/12  
www.st.com  
12  
1234567...12

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