是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.89 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A |
最大漏极电流 (ID): | 11 A | 最大漏源导通电阻: | 0.013 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 44 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STS123 | AUK |
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NPN Silicon Transistor | |
STS12CFRM | ETC |
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Telecomm/Datacomm | |
STS12NF30L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 30V - 0.0085W - 12A SO-8 STripFET POWER MOSFET | |
STS12NF30L_07 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.008ohm - 12A SO-8 STripFET II Power MOSFET | |
STS12NF30L_0705 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 30V - 0.008Ω - 12A SO-8 STripFET™ I | |
STS12NH3LL | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 30 V - 0.008 з - 12 A SO-8 ULTRA LO | |
STS12NH3LL_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30V - 0.008ohm - 12A - SO-8 Ultra low gate charge STripFET TM Power MOSFET | |
STS12NH3LL_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO-8 ultra | |
STS131PC | ETC |
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SCHIEBESCHALTER 1POL SP3T EIN EIN EIN | |
STS14N3LLH5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 30 V, 0.005 Ω, 14 A - SO-8 STripFET |