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STS17NH3LL

更新时间： 2024-11-24 03:30:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 191K
描述
N-channel 30V - 0.004OHM - 17A - SO-8 STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion

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STS17NH3LL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：LOW THRESHOLD雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：17 A最大漏极电流 (ID)：17 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.7 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS17NH3LL 数据手册

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STS17NH3LL  
N-channel 30V - 0.004Ω - 17A - SO-8  
STripFET™ Power MOSFET for DC-DC conversion  
TARGET SPECIFICATION  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STS17NH3LL  
30V  
<0.0057Ω  
17A(1)  
1. This value is rated according to Rthj-pcb  
■ Optimal R  
x Qg trade-off @ 4.5 V  
DS(on)  
■ Conduction losses reduced  
SO-8  
■ Improved junction-case thermal resistance  
■ Low threshold device  
Description  
This device utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology.  
This process coupled to unique metallization  
techniques realizes the most advanced low  
voltage Power MOSFET in SO-8 ever produced.  
Internal schematic diagram  
Applications  
■ Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STS17NH3LL  
S17NH3LL  
SO-8  
Tape & reel  
August 2006  
Rev 1  
1/9  
This is preliminary information on a new product foreseen to be developed. Details are subject to change without notice.  
www.st.com  
9
1234567...9

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STS17NH3LL 替代型号

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