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STS123

更新时间: 2024-11-19 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
韩国光电子 - AUK 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
NPN Silicon Transistor

STS123 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
最大集电极电流 (IC):1 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):150最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.625 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

STS123 数据手册

 浏览型号STS123的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STS123的Datasheet PDF文件第3页 
STS123  
Semiconductor  
NPN Silicon Transistor  
Features  
Low saturation medium current application  
Extremely low collector saturation voltage  
Suitable for low voltage large current drivers  
High DC current gain and large current capability  
Low on resistance : RON=0.6(Max.) (IB=1mA)  
Ordering Information  
Type NO.  
Marking  
Package Code  
STS123  
STS123  
TO-92  
Outline Dimensions  
unit : mm  
3.45±0.1  
2.25±0.1  
4.5±0.1  
0.4±0.02  
2.06±0.1  
1.27 Typ.  
2.54 Typ.  
1 2 3  
PIN Connections  
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
KST-9058-002  
1

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