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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDS4435A_NL
FDS4435A_NL PDF预览

FDS4435A_NL

更新时间： 2024-09-26 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 623K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS4435A_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SO-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS4435A_NL 数据手册

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June 1999  
FDS4435  
P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process  
that has been especially tailored to minimize on-state  
resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• -8.8 A, -30 V. RDS(ON) = 0.020 Ω @ VGS = -10 V  
RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = -4.5 V  
• Low gate charge (17nC typical).  
• Fast switching speed.  
This device is well suited for low voltage and battery  
powered applications where low in-line power loss and  
fast switching are required.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• High power and current handling capability.  
• DC/DC converter  
• Load switch  
• Motor drives  
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'HYLFHꢀ0DUNLQJ  
'HYLFH  
5HHOꢀ6L]H  
7DSHꢀ:LGWK  
4XDQWLW\  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS4435Rev. D  
12345678

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与FDS4435A_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4435AD84Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS4435AF011 FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS4435AL86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDS4435A-NBAI003A FAIRCHILD

获取价格

 		Transistor
FDS4435BZ FAIRCHILD

获取价格

 		30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4435BZ ONSEMI

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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ
FDS4435BZ UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDS4435BZ_07 FAIRCHILD

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 		P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -30V, -8.8A, 20
FDS4435BZ_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDS4435BZ-F085 ONSEMI

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 		P 沟道 PowerTrench® MOSFET -30V，-8.8A，20mΩ

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