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FDS4435AL86Z

更新时间： 2024-01-05 04:57:32
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 349K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS4435AL86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.31其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDS4435AL86Z 数据手册

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October 2001  
FDS4435A  
P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
• -9 A, -30 V. RDS(ON) = 0.017 W @ VGS = -10 V  
RDS(ON) = 0.025 W @ VGS = -4.5 V  
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process  
that has been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for superior  
switching performance.  
• Low gate charge (21nC typical).  
• High performance trench technology for extremely  
These devices are well suited for notebook computer appli-  
cations: load switching and power management, battery  
charging circuits, and DC/DC conversion.  
low RDS(ON)  
.
• High power and current handling capability.  
D
D
D
5
6
7
8
4
D
3
2
1
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-30  
V
V
A
± 20  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
-9  
-50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
1
(Note 1c)  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
TJ, Tstg  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS4435A  
FDS4435A  
13’’  
12mm  
2500 units  
ã2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS4435A Rev. D  
12345678

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与FDS4435AL86Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS4435A-NBAI003A FAIRCHILD

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 		Transistor
FDS4435BZ FAIRCHILD

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 		30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4435BZ ONSEMI

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 		P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-8.8A，20mΩ
FDS4435BZ UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDS4435BZ_07 FAIRCHILD

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