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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | 1.60 X 1.20 MM, 0.55 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.16 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4160DPN | NXP |
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60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160DPN | NEXPERIA |
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60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160DPN/DG,115 | NXP |
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PBSS4160DPN - 60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin |
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| PBSS4160DPN/T1 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC |
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| PBSS4160DPN/T2 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC |
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| PBSS4160DS | NXP |
获取价格 |
60 V 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160DS | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160DS,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4160DS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin |
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| PBSS4160DS/T1 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSO |
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| PBSS4160DS/T2 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSO |
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