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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-70 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 200 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PBSS4140V | NXP |
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40 V low VCEsat NPN transistor |
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| PBSS4160DPN | NXP |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160DPN | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistorProduction |
|
| PBSS4160DPN/DG,115 | NXP |
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PBSS4160DPN - 60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin |
|
| PBSS4160DPN/T1 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC |
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| PBSS4160DPN/T2 | NXP |
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TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC |
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| PBSS4160DS | NXP |
获取价格 |
60 V 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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| PBSS4160DS | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistorProduction |
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| PBSS4160DS,115 | NXP |
获取价格 |
PBSS4160DS - 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor TSOP 6-Pin |
|
| PBSS4160DS/T1 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1000 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-74, TSO |
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