是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SO-8FL, DFN-8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
Factory Lead Time: | 7 weeks | 风险等级: | 1.48 |
雪崩能效等级(Eas): | 49 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 40 V |
最大漏源导通电阻: | 0.0178 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NVMFD5C470NT1G | ONSEMI |
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MOSFET â Power, Dual N-Channel | |
NVMFD5C470NWFT1G | ONSEMI |
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MOSFET â Power, Dual N-Channel | |
NVMFD5C478NLT1G | ONSEMI |
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双 N 沟道功率 MOSFET 40V,29A,14.5mΩ | |
NVMFD5C478NLWFT1G | ONSEMI |
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双 N 沟道功率 MOSFET 40V,29A,14.5mΩ | |
NVMFD5C478NT1G | ONSEMI |
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双 N 沟道功率 MOSFET 40 V,27 A,17.0 mΩ | |
NVMFD5C478NWFT1G | ONSEMI |
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双 N 沟道功率 MOSFET 40 V,27 A,17.0 mΩ | |
NVMFD5C650NLT1G | ONSEMI |
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Dual N-Channel Power MOSFET 60V, 111A, 4.2mΩ | |
NVMFD5C650NLWFT1G | ONSEMI |
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Dual N-Channel Power MOSFET 60V, 111A, 4.2mΩ | |
NVMFD5C668NLT1G | ONSEMI |
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功率 MOSFET,60V,68 A,6.5 mΩ,双 N 沟道 | |
NVMFD5C668NLWFT1G | ONSEMI |
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功率 MOSFET,60V,68 A,6.5 mΩ,双 N 沟道 |