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NTE5552

更新时间： 2024-09-09 23:54:59

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NTE5552 数据手册

NTE5550 thru NTE5558

Silicon Controlled Rectifiers

Description:

The NTE5550 thru NTE5558 SCR’s are designed primarily for half–wave AC control applications,

such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits.

Features:

D Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability.

D Small, Rugged, Thermowatt Constructed for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation

and Durability.

D Blocking Voltage to 800 Volts

D 300A Surge Current Capability

Absolute Maximum Ratings:

Peak Reverse Blocking Voltage (Note 1), V_RRM

NTE5550 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

NTE5552 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5554 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5556 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5558 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Forward Current (T_C= +85°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

(All Conduction Angles), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Peak Non–Repetitive Surge Current (8.3ms), I_TSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A

(1/2 Cycle, Sine Wave, 1.5ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350A

Forward Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Forward Average Gate Power, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W

Forward Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W

Note 1. V_RRMfor all types can be applied on a continuous dc basis without incurring damage.

Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for block-

ing capability in a manner such that the voltage supplied exceeds the rated blocking

voltage.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5553	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 780A I(T)RMS, 668000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E
NTE5554	ETC	获取价格
NTE5555	ETC	获取价格
NTE5556	ETC	获取价格
NTE5557	ETC	获取价格
NTE5558	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers
NTE555A	NTE	获取价格	Silicon Pin Diode VHF Band Switch
NTE556	NTE	获取价格	Voltage Multiplier Diode, Silicon,
NTE5561	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
NTE5562	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers (SCR’s)

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