NTE5566

更新时间： 2024-09-14 07:14:19

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
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描述
Silicon Controlled Rectifiers (SCR’s)

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NTE5566 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.1	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	30 mA	最大直流栅极触发电压：	2 V
最大维持电流：	50 mA	JEDEC-95代码：	TO-48
JESD-30 代码：	O-MUPM-D3	通态非重复峰值电流：	300 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	35000 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	35 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5566 数据手册

NTE5562, NTE5564, NTE5566

Silicon Controlled Rectifiers (SCR’s)

Description:

The NTE5562, NTE5564 and NTE5566 are silicon controlled rectifiers in a TO–48 isolated stud

TO–48 type package designed for industrial and consumer applications such as power supplies, bat-

tery chargers, temperature, motor, light and welder controls.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Off–State Voltage & Reverse Voltage (T_J= +100°C), V_DRM, V_RRM

NTE5562 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200

NTE5564 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5566 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current (T_C= +75°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current, I_TSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A

Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), I_GTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20

Peak Gate–Power Dissipation (I_GT≤ for 3µs Max), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Average Gate Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Operating Temperature Range, T_oper. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6/W

Electrical Characteristics: (At Maximum Ratings and Specified Case Temperatures)

Parameter

Symbol

Test Conditions

T = +100°C, Gate Open, V

Min Typ Max Unit

Peak Off–State Current

RRM

–

2.0 mA

DRM

RRM

Maximum On–State Voltage (Peak)

DC Holding Current

T = +25°C

–

1.6

T = +25°C, Gate Open

DC Gate Trigger Current

Anode Voltage = 12Vdc, R = 30Ω,

T =+ 25°C

DC Gate Controlled Turn–On Time

= 150mA , t +t

–

2.5

–

µs

Critical Rate of Rise of Off–State Voltage

Critical T = +100°C, Gate Open

100

V/µs

dv/dt

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