NTE5570

更新时间： 2024-09-14 07:14:19

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

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NTE5570 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.11
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	120 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	JEDEC-95代码：	TO-94
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	通态非重复峰值电流：	1800 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	125000 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	125 A
断态重复峰值电压：	200 V	重复峰值反向电压：	200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5570 数据手册

NTE5570, NTE5572, & NTE5574

Silicon Controlled Rectifier

for Phase Control Applications

Electrical Characteristics: (Maximum values @ T_J= +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V_DRM& V_RRM

NTE5570 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5572 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5574 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V_RSM

NTE5570 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

NTE5572 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

NTE5574 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V

Average On–State Current (Half Sine Wave, 180°, T_C= +85°C), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A

RMS On–State Current (DC @ T_C= +75°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125A

Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration, Sinusoidal Half Wave), I_TSM

No Voltage Reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1900A

100% V_RRMReapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600A

Maximum I²t for Fusing (10ms Duration, Sinusoidal Half Wave), I²t

No Voltage Reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18000A²sec

100% V_RRMReapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12700A²sec

Peak Positive Gate Current (5ms Pulse Width), I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Peak Positive Gate Voltage (5ms Pulse Width), +V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Peak Negative Gate Voltage (5ms Pulse Width), –V_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Average Gate Power (f = 50Hz, Duty Cycle = 50%), P_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W

Peak Gate Power (50ms Pulse Width), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12W

Rate of Rise of Off–State Voltage (Exponential to 67% Rated V_DRM), dv/dt . . . . . . . . . . . . 500V/µs

Rate of Rise of ON–State Current, di/dt

(Gate Drive 20V, 65Ω, with t_r= 0.5µs, V_d= Rated V_DRM, I_TM= 2 x di/dt snubber 0.2µF)

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A/µs

Typical Delay Time, t_d

(Gate Pulse: 10V, 15Ω Source, t_p= 6µs, t_r= 0.1µs, V_d= rated V_DRM, I_TM= 50A) . . . . . 1µs

Typical Turn–On Time, t_q

(I_TM= 50A, di/dt = –5A/µs min, V_R= 50V, dv/dt = 20V/µs, Gate Bias: 0V 25Ω, t_p= 500µs) 110µs

On–State Voltage (I_Pk= 250A, 10ms Sine Pulse), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6V

Repetitive Peak Off–State Current (At V_DRM), I_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA

Repetitive Peak Reverse Current (At V_RRM), I_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA

Maximum Gate Current Required to Trigger, I_GT

(6V Anode–to–Cathode Applied, T_J= +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120mA

Maximum Gate Voltage Required to Trigger, V_GT

(6V Anode–to–Cathode Applied, T_J= +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5V

Maximum Holding (Anode Supply 12V Resistive Load, T_J= +25°C), I_H. . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V_GD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V

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