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NTE5553

更新时间： 2024-09-10 20:30:11

品牌	Logo	应用领域
NTE		栅栅极
页数	文件大小	规格书
2页	19K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 780A I(T)RMS, 668000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,

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NTE5553 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-X4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.12	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
最大维持电流：	600 mA	JESD-30 代码：	O-CEDB-X4
最大漏电流：	20 mA	通态非重复峰值电流：	4650 A
元件数量：	1	端子数量：	4
最大通态电流：	668000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	780 A
断态重复峰值电压：	1600 V	重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	END
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5553 数据手册

NTE5550 thru NTE5558

Silicon Controlled Rectifiers

Description:

The NTE5550 thru NTE5558 SCR’s are designed primarily for half–wave AC control applications,

such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits.

Features:

D Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability.

D Small, Rugged, Thermowatt Constructed for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation

and Durability.

D Blocking Voltage to 800 Volts

D 300A Surge Current Capability

Absolute Maximum Ratings:

Peak Reverse Blocking Voltage (Note 1), V_RRM

NTE5550 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

NTE5552 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5554 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5556 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5558 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Forward Current (T_C= +85°C), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

(All Conduction Angles), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Peak Non–Repetitive Surge Current (8.3ms), I_TSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A

(1/2 Cycle, Sine Wave, 1.5ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350A

Forward Peak Gate Power, P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Forward Average Gate Power, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W

Forward Peak Gate Current, I_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W

Note 1. V_RRMfor all types can be applied on a continuous dc basis without incurring damage.

Ratings apply for zero or negative gate voltage. Devices should not be tested for block-

ing capability in a manner such that the voltage supplied exceeds the rated blocking

voltage.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5554	ETC	获取价格
NTE5555	ETC	获取价格
NTE5556	ETC	获取价格
NTE5557	ETC	获取价格
NTE5558	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers
NTE555A	NTE	获取价格	Silicon Pin Diode VHF Band Switch
NTE556	NTE	获取价格	Voltage Multiplier Diode, Silicon,
NTE5561	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
NTE5562	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifiers (SCR’s)
NTE5563	ETC	获取价格

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