Datasheet > NTE5575

NTE5575

更新时间： 2024-09-14 07:14:19

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE5575 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-X2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	2.12
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	125 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
JEDEC-95代码：	TO-83	JESD-30 代码：	O-MUPM-X2
通态非重复峰值电流：	1600 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	125000 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	125 A	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5575 数据手册

NTE5575, NTE5577, NTE5579

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

125 Amp

Electrical Characteristics:

Repetitive Peak Forward Blocking Voltage, V_DRM

NTE5575 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5577 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5579 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

Repetitive Peak Reverse Voltage, V_RRM

NTE5575 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5577 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5579 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V

Non–Repetitive Transient Peak Reverse Voltage, V_RSM

NTE5575 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

NTE5577 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5579 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V

Maximum RMS On–State Current, I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125A

Maximum Average On–State Current (+180° Conduction, T_C= +80°C), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . 70A

Maximum Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current, I_TSM

50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1400A

60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500A

Maximum I²t for Fusing (1.5ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7000A²sec

Peak On–State Voltage (T_C= +25°C, +180°C Conduction, Rated I_T(AV)), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . 2V

Maximum Thermal Resistance, DC, Junction to Case, R_Θ

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3°C/W

Typical Turn–Off Time (T_J= +125°C), t_q. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100µs

Rate–of–Rise of Turned–On Current, di/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C

Maximum Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage, dv/dt

(Exponential @ T_J= +125°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Maximum Required Gate Trigger Current, I_GT

T_J= –40°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

T_J= –25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125mA

Maximum Required Gate TriggerVoltage (T_J= +25°C), V_GT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA

Maximum Forward Voltage Drop (I_TM= 500A, T_J= +25°C). V_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V

中文翻译

下载PDF

与NTE5575相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5576	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
NTE5577	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp
NTE5578	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
NTE5579	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp
NTE558	NTE	获取价格	General Purpose Silicon Rectifier
NTE5580	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5582	ETC	获取价格
NTE5584	ETC	获取价格
NTE5585	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5586	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

与NTE5575相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

2
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

2
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

82
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

73

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5575

NTE5575 技术参数

NTE5575 数据手册

与NTE5575相关器件

与NTE5575相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5575

NTE5575 技术参数

NTE5575 数据手册

与NTE5575相关器件

与NTE5575相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？