Datasheet > NTE5576

NTE5576

更新时间： 2024-11-26 04:35:59

品牌	Logo	应用领域
NTE		可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon Controlled Rectifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE5576 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.12	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	150 mA
JESD-30 代码：	O-MUPM-H3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	172.7 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	HIGH CURRENT CABLE
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5576 数据手册

NTE5576 & NTE5578

Silicon Controlled Rectifier

Absolute Maximum Ratings: (T_J= +125°C unless otherwise specified)

Repetitive Peak Voltages, V_DRM& V_RRM

NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Non–Repetitive Peak Off–State Voltage, V_DSM

NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V

Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V_RSM

NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V

Average On–State Current (Half Sine Wave, T_C= +90°C), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110A

RMS On–State Current, I_(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A

Continuous On–State Current, I_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A

Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration), I_TSM

60% V_RRMreapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2450A

V_R≤ 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2695A

Maximum I²t for Fusing (V_R≤ 10V), I²t

10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36300A²sec

10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27000A²sec

Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), I_FGM. . . . . . . . . . . . . . 19A

Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), V_FGM. . . . . . . . . . . . . . 18V

Peak Reverse Gate Voltage, V_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Average Gate Power, P_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Peak Gate Power (100µs Pulse Width), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V_DRM, Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Rate of Rise of ON–State Current, di/dt

(Gate Drive 20V, 20Ω, with t_r≤ 1µs, Anode Voltage ≤ 80% V_DRM

)

Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs

Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs

Electrical Characteristics: (Maximum values @ T_J= +125°C unless otherwise specified)

Peak On–State Voltage (I_TM= 377A), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.57V

Forward Conduction Threshold Voltage, V_O. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9V

Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.79mΩ

Repetitive Peak Off–State Current (At V_DRM), I_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Repetitive Peak Reverse Current (At V_RRM), I_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (V_A= 6V, I_A= 2A, T_J= +25°C), I_GT. . 150mA

Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (V_A= 6V, I_A= 2A, T_J= +25°C), V_GT. . . . . 3V

Maximum Holding (V_A= 6V, I_A= 2A, T_J= +25°C), I_H. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA

Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V_GD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V

中文翻译

下载PDF

与NTE5576相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5577	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp
NTE5578	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
NTE5579	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 125 Amp
NTE558	NTE	获取价格	General Purpose Silicon Rectifier
NTE5580	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5582	ETC	获取价格
NTE5584	ETC	获取价格
NTE5585	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5586	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
NTE5587	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications

与NTE5576相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

44
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

58

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5576

NTE5576 技术参数

NTE5576 数据手册

与NTE5576相关器件

与NTE5576相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5576

NTE5576 技术参数

NTE5576 数据手册

与NTE5576相关器件

与NTE5576相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？