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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 1.5 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.39 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 0.07 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.71 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NSVR0170P2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
70V, 100mA Schottky Barrier Diode Series in X2DFNW2 |
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| NSVR02100HT1G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基势垒二极管 |
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| NSVR0230M2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基势垒整流器，30V，200mA，低 VF |
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| NSVR0230P2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基势垒整流器，200 mA，30 V |
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| NSVR0240HT1G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V，0.25 A 低红外肖特基二极管 |
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| NSVR0240MX2WT5G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V, 200mA Schottky Barrier Diodes in X2DFN2 & X2DFNW2 |
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| NSVR0240P2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
肖特基势垒整流器，200 mA，40 V |
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| NSVR0240V2T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
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| NSVR0240V2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
40 V，0.25 A 低 IR 肖特基二极管 |
|
| NSVR02HL40MX2WT5G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Diode, 40V, 200mA |
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