是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | VSSOP, TSSOP8,.12,20 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
Factory Lead Time: | 4 weeks | 风险等级: | 1.33 |
模拟集成电路 - 其他类型: | SPST | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 2.3 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 正常位置: | NO/NC |
信道数量: | 1 | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 标称断态隔离度: | 93 dB |
最大通态电阻 (Ron): | 55 Ω | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 输出: | SEPARATE OUTPUT |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VSSOP |
封装等效代码: | TSSOP8,.12,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5/5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 0.9 mm | 子类别: | Multiplexer or Switches |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
最长断开时间: | 16 ns | 最长接通时间: | 30 ns |
切换: | BREAK-BEFORE-MAKE | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 2 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NLAS325US | ONSEMI |
类似代替 |
Dual SPST Analog Switch Low Voltage Single Supply |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NLAS3699 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual DPDT Ultra-Low RON Switch | |
NLAS3699_05 | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra-Low RON Switch | |
NLAS3699B | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3699BMN1R2G | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3699MN1R2G | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra-Low RON Switch | |
NLAS3799 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3799_06 | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3799B | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3799B_08 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual DPDT Ultra-Low RON Switch | |
NLAS3799BL | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch |