是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | QFN | 包装说明: | HVQCCN, LCC16,.12SQ,20 |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 5.57 |
模拟集成电路 - 其他类型: | DPDT | JESD-30 代码: | S-XQCC-N16 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 3 mm |
湿度敏感等级: | 1 | 信道数量: | 2 |
功能数量: | 2 | 端子数量: | 16 |
标称断态隔离度: | 62 dB | 通态电阻匹配规范: | 0.06 Ω |
最大通态电阻 (Ron): | 0.75 Ω | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 输出: | SEPARATE OUTPUT |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | HVQCCN |
封装等效代码: | LCC16,.12SQ,20 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8/4 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1 mm | 子类别: | Multiplexer or Switches |
最大供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.65 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
最长断开时间: | 40 ns | 最长接通时间: | 60 ns |
切换: | BREAK-BEFORE-MAKE | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NLAS3699MN1R2G | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra-Low RON Switch | |
NLAS3799 | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3799_06 | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3799B | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3799B_08 | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra-Low RON Switch | |
NLAS3799BL | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3799BLMNR2G | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3799BMNR2G | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch | |
NLAS3799BMUR2G | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra-Low RON Switch | |
NLAS3799L | ONSEMI |
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Dual DPDT Ultra−Low RON Switch |