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NLAS3799BMUR2G

更新时间： 2024-11-20 01:20:47
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安森美 - ONSEMI 光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
12页 177K
描述
Dual DPDT Ultra-Low RON Switch

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NLAS3799BMUR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：QFN包装说明：VQCCN, LCC16,.07X.1,16
针数：16Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：6.21
模拟集成电路 - 其他类型：DPDTJESD-30 代码：R-XQCC-N16
JESD-609代码：e4长度：2.6 mm
湿度敏感等级：1信道数量：2
功能数量：2端子数量：16
标称断态隔离度：69 dB通态电阻匹配规范：0.05 Ω
最大通态电阻 (Ron)：0.5 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：VQCCN
封装等效代码：LCC16,.07X.1,16封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8/4 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.8 mm子类别：Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：4.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
最长断开时间：30 ns最长接通时间：50 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.4 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.8 mm
Base Number Matches：1

NLAS3799BMUR2G 数据手册

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NLAS3799B, NLAS3799BL  
Dual DPDT Ultra-Low RON  
Switch  
The NLAS3799B is an ultra−low R dual DPDT and a 0.5 ꢀ R  
ON  
ON  
analog switch. This device is designed for low operating voltage, high  
current switching of speaker output and earpiece for cellphone  
applications. It can switch a balanced stereo output. The NLAS3799B  
can handle a balanced microphone/speaker/ring−tone generator in a  
monophone mode. The device contains a break−before−make (BBM)  
feature.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
16  
Features  
1
• Single Supply Operation  
XXMG  
1.65 to 4.5 V V  
CC  
G
Function Directly from LiON Battery  
• Maximum Breakdown Voltage: 5.5 V  
• Low Static Power  
WQFN−16  
CASE 488AP  
1
16  
• NLAS3799B Interfaces with 2.8 V Chipset  
NLAS3799BL Interfaces with 1.8 V Chipset  
• These are Pb−Free Devices  
1
XXMG  
1
G
UQFN−16  
CASE 488AU  
Typical Applications  
• Cell Phone Speaker/Microphone Switching  
• Ringtone−Chip/Amplifier Switching  
• Four Unbalanced (Single−Ended) Switches  
• Stereo Balanced (Push−Pull) Switching  
XX  
= Specific Device Code  
AK = NLAS3799BMNR2G  
AL = NLAS3799BLMNR2G  
AX = NLAS3799BMUR2G  
= Date Code/Assembly Location  
M
G
Important Information  
= Pb−Free Package  
• ESD Protection:  
(Note: Microdot may be in either location)  
COMA NOA Vcc NCD  
Human Body Model (HBM) > 8000 V  
Machine Model (MM) > 400 V  
• Continuous Current Rating Through each Switch 300 mA  
16  
15  
14  
13  
• Conforms to: JEDEC MO−220, Issue H, Variation VEED−6  
• Package:  
1
12  
NCA  
A−B IN  
NOB  
COMD  
NOD  
♦ 1.8 x 2.6 x 0.75 mm WQFN−16 Pb−Free  
♦ 1.8 x 2.6 x 0.55 mm UQFN−16 Pb−Free  
2
3
4
11  
10  
9
C−D IN  
NCC  
COMB  
5
6
7
8
NCB GND NOCCOMC  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 10 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
July, 2008 − Rev. 3  
NLAS3799B/D  
1234567...12

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NLAS3799BMUR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NLAS3799MNR2G ONSEMI

完全替代

 Dual DPDT Ultra−Low RON Switch
NLAS3799BMNR2G ONSEMI

完全替代

 Dual DPDT Ultra−Low RON Switch
NLAS3799BLMNR2G ONSEMI

完全替代

 Dual DPDT Ultra−Low RON Switch

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NLAS3799L ONSEMI

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 		Dual DPDT Ultra−Low RON Switch
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 		Dual DPDT Low RON, Low Capacitance Switch
NLAS4051 ONSEMI

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 		Analog Multiplexer/ Demultiplexer TTL Compatible, Single-Pole, 8-Position Plus Common Off
NLAS4051/D ETC

获取价格

 		Analog Multiplexer/Demultiplexer

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