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NLAS3799BMNR2G

更新时间： 2024-11-02 03:46:23
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安森美 - ONSEMI 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 100K
描述
Dual DPDT Ultra−Low RON Switch

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NLAS3799BMNR2G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：QFN包装说明：VQCCN, LCC16,.07X.1,16
针数：16Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：6.19
模拟集成电路 - 其他类型：DPDTJESD-30 代码：R-XQCC-N16
JESD-609代码：e4长度：2.6 mm
湿度敏感等级：1信道数量：2
功能数量：2端子数量：16
标称断态隔离度：69 dB通态电阻匹配规范：0.05 Ω
最大通态电阻 (Ron)：0.5 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：VQCCN
封装等效代码：LCC16,.07X.1,16封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8/4 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.8 mm子类别：Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：4.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
最长断开时间：30 ns最长接通时间：50 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.4 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：1.8 mm
Base Number Matches：1

NLAS3799BMNR2G 数据手册

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NLAS3799B, NLAS3799BL  
Dual DPDT Ultra−Low RON  
Switch  
The NLAS3799B is an ultra−low R dual DPDT and a 0.5 ꢀ R  
ON  
ON  
analog switch. This device is designed for low operating voltage, high  
current switching of speaker output and earpiece for cellphone  
applications. It can switch a balanced stereo output. The NLAS3799B  
can handle a balanced microphone/speaker/ring−tone generator in a  
monophone mode. The device contains a break−before−make (BBM)  
feature.  
http://onsemi.com  
MARKING  
DIAGRAMS  
16  
Features  
1
• Single Supply Operation  
XXM  
G
1
1.65 to 4.5 V V  
CC  
Function Directly from LiON Battery  
• Maximum Breakdown Voltage: 5.5 V  
• Low Static Power  
• NLAS3799B Interfaces with 2.8 V Chipset  
NLAS3799BL Interfaces with 1.8 V Chipset  
• These are Pb−Free Devices*  
WQFN−16  
CASE 488AP  
XX  
= Specific Device Code  
AK = NLAS3799B  
AL = NLAS3799BL  
M
G
= Date Code/Aseembly Location  
= Pb−Free Package  
Typical Applications  
• Cell Phone Speaker/Microphone Switching  
• Ringtone−Chip/Amplifier Switching  
• Four Unbalanced (Single−Ended) Switches  
• Stereo Balanced (Push−Pull) Switching  
COMA NOA Vcc NCD  
16  
15  
14  
13  
1
12  
NCA  
A−B IN  
NOB  
COMD  
NOD  
Important Information  
2
3
4
11  
10  
9
• ESD Protection:  
HBM (Human Body Model) > 8000 V  
MM (Machine Model) > 400 V  
C−D IN  
NCC  
• Continuous Current Rating Through each Switch 300 mA  
• Conforms to: JEDEC MO−220, Issue H, Variation VEED−6  
• Package: 1.8 x 2.6 x 0.75 mm WQFN−16 Pb−Free  
COMB  
5
6
7
8
NCB GND NOCCOMC  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 10 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006  
1
Publication Order Number:  
March, 2006 − Rev. 0  
NLAS3799B/D  
1234567...11

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NLAS3799BMNR2G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NLAS3799BMUR2G ONSEMI

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 Dual DPDT Ultra-Low RON Switch
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