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NLAS3899BMNTWG

更新时间： 2024-10-02 01:20:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管输出元件
页数 文件大小 规格书
10页 137K
描述
Dual DPDT Low RON, Low Capacitance Switch

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NLAS3899BMNTWG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：QFN包装说明：HVQCCN, LCC16,.12SQ,20
针数：16Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.54Samacsys Description：ON SEMICONDUCTOR - NLAS3899BMNTWG - ANALOGUE SWITCH, DUAL, DPDT, 4R, QFN-16
模拟集成电路 - 其他类型：DPDTJESD-30 代码：S-XQCC-N16
JESD-609代码：e3长度：3 mm
湿度敏感等级：1信道数量：2
功能数量：2端子数量：16
标称断态隔离度：67 dB通态电阻匹配规范：0.8 Ω
最大通态电阻 (Ron)：3 Ω最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C输出：SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：HVQCCN
封装等效代码：LCC16,.12SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8/4 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm子类别：Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：4.3 V最小供电电压 (Vsup)：1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
最长断开时间：30 ns最长接通时间：40 ns
切换：BREAK-BEFORE-MAKE温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin (Sn)端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3 mm
Base Number Matches：1

NLAS3899BMNTWG 数据手册

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NLAS3899B  
Dual DPDT Low RON, Low  
Capacitance Switch  
The NLAS3899B is a dual DPDT analog switch designed for low  
power audio and dual SIM card applications. The low R of 3.0  
ꢀ
ON  
(typical) is ideal for routing audio signals to or from a moderately high  
http://onsemi.com  
MARKING  
impedance load. In addition, the low C of 20 pF (typical) gives the  
ON  
NLAS3899B a high bandwidth of 280 MHz, perfect for dual SIM card  
applications.  
DIAGRAMS  
Features  
16  
• Single Supply Operation  
1
1.65 to 4.3 V V  
CC  
AAMG  
Function Directly from Li−Ion Battery  
G
• Low ON Resistance (3.0 ꢀ Typical Across V  
)
CC  
WQFN16  
CASE 488AP  
1
• Low C (20 pF Typical)  
ON  
• Bandwidth 280 MHz  
16  
1
• Maximum Breakdown Voltage: 5.5 V  
• Low Static Power  
QFN16  
CASE 485AE  
NLAS  
3899  
ALYW  
1
• Interfaces with 1.8 V Chipset  
• These are Pb−Free Devices  
Typical Applications  
XX  
A
M
L
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Date Code/Assembly Location  
= Wafer Lot  
= Year  
= Work Week  
• Cell Phone Speaker/Microphone Switching  
• Ringtone−Chip/Amplifier Switching  
• Dual SIM Card Data Switching  
• Four Unbalanced (Single−Ended) Switches  
Y
W
G
= Pb−Free Package  
Important Information  
• ESD Protection:  
(Note: Microdot may be in either location)  
Human Body Model (HBM) 1000 V − All Pins  
Human Body Model (HBM) 5000 V − I/O to GND  
• Continuous Current Rating Through each Switch 300 mA  
COMA NOA Vcc NCD  
16  
15  
14  
13  
• Conforms to: JEDEC MO−220, Issue H, Variation VEED−6  
• Package:  
1
12  
NCA  
A−B IN  
NOB  
COMD  
NOD  
♦ 1.8 x 2.6 x 0.75 mm WQFN16 Pb−Free  
♦ 3.0 x 3.0 x 0.9 mm QFN16 Pb−Free  
2
3
4
11  
10  
9
C−D IN  
NCC  
COMB  
5
6
7
8
NCB GND NOCCOMC  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 8 of this data sheet.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
August, 2012 − Rev. 1  
NLAS3899B/D  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NLAS3899BMNTXG ONSEMI

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