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NLAS3699MN1R2G

更新时间： 2024-11-18 22:26:07

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安森美 - ONSEMI		开关光电二极管
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描述
Dual DPDT Ultra-Low RON Switch

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NLAS3699MN1R2G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	QFN	包装说明：	3 X 3 MM, 0.85 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-220VEED-6, QFN-16
针数：	16	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.97
模拟集成电路 - 其他类型：	DPDT	JESD-30 代码：	S-XQCC-N16
JESD-609代码：	e3	长度：	3 mm
湿度敏感等级：	1	信道数量：	2
功能数量：	2	端子数量：	16
标称断态隔离度：	62 dB	通态电阻匹配规范：	0.06 Ω
最大通态电阻 (Ron)：	0.75 Ω	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出：	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	HVQCCN
封装等效代码：	LCC16,.12SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	子类别：	Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
最长断开时间：	40 ns	最长接通时间：	60 ns
切换：	BREAK-BEFORE-MAKE	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

NLAS3699MN1R2G 数据手册

NLAS3699

Dual DPDT Ultra−Low R_ON

Switch

The NLAS3699 is a dual independent ultra−low R DPDT analog

switch. This device is designed for low operating voltage, high current

switching of speaker output for cell phone applications. It can switch a

balanced stereo output. The NLAS3699 can handle a balanced

microphone/speaker/ring−tone generator in a monophone mode. The

device contains a break−make feature.

http://onsemi.com

MARKING

DIAGRAMS

Features

• Single Supply Operation

QFN−16

1.65 to 4.7 V V

NLAS

3699

ALYW

CASE 485AE

Function Directly from LiON Battery

• Maximum Breakdown Voltage: 5.0 V

• Tiny 3 x 3 mm QFN Pb−Free Package

Meet JEDEC MO−220 Specifications

• Low Static Power

XXXX = Specific Device Code

= Assembly Location

= Wafer Lot

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

Typical Applications

• Cell Phone Speaker/Microphone Switching

• Ringtone−Chip/Amplifier Switching

• Four Unbalanced (Single−Ended) Switches

• Stereo Balanced (Push−Pull) Switching

D1 1S1 Vcc 4S2

Important Information

• ESD Protection:

1S2

1−2IN

2S1

HBM (Human Body Model) > 4000 V

MM (Machine Model) > 400 V

4S1

• Continuous Current Rating Through each Switch ±300 mA

• Conforms to: JEDEC MO−220, Issue H, Variation VEED−6

• Pin for Pin Compatible with STG3699

3−4IN

3S2

2S2 GND 3S1 D3

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 9 of this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

October, 2004 − Rev. 0

NLAS3699/D

12 3 4 5 6 7...10

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