Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> NE34018-T1

NE34018-T1

更新时间： 2024-11-12 22:30:15

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
16页	115K
描述
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

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NE34018-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, SUPERMINI-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.03 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	14 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE34018-T1 数据手册

DATA SHEET

HJ-FET

NE34018

L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL HJ-FET

DESCRIPTION

NE34018 is a n-channel HJ-FET housed in MOLD package.

PACKAGE DIMENSIONS

in millimeters

FEATURES

2.1 ±0.2

Low noise figure

1.25 ±0.1

NF = 0.6 dB TYP. at f = 2 GHz

High associated gain

Ga = 16 dB TYP. at f = 2 GHz

Gate width: Wg = 400 Pm

4 pins super mini mold

Tape & reel packaging only available

ORDERING INFORMATION

QUANTITY

PACKING STYLE

PART NUMBER

NE34018-T1

3 Kpcs/Reel.

Embossed tape 8 mm wide. Pin 3

(Source), Pin 4 (Drain) face to

perforation side of the tape.

PIN CONNECTIONS

1. Source

2. Gate

3. Source

4. Drain

NE34018-T2

3 Kpcs/Reel.

Embossed tape 8 mm wide. Pin 1

(Source), Pin 2 (Gate) face to

perforation side of the tape.

Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation

sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part number for sample

order: NE34018)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 qC)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Gate Current

V^DS

V^GS

I^D

4.0

ð3.0

I^DSS

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^tot

T^ch

T^stg

150

125

ð65 to +125

Document No. P11618EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published September 1997 N

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7...16

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NE34018-T1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NE3210S01-T1B	CEL	功能相似	SUPER LOW NOISE HJ FET
NE3210S01-T1	CEL	功能相似	SUPER LOW NOISE HJ FET
NE3210S01	CEL	功能相似	SUPER LOW NOISE HJ FET

与NE34018-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE34018-T1-63	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun
NE34018-T1-64	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun
NE34018-T2	NEC	获取价格	L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE34018-T2-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H
NE34018-TI-63-A	CEL	获取价格	GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package)
NE34018-TI-64	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, PLASTIC, SOT-343, 4 PIN
NE34018-TI-64-A	CEL	获取价格	GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package)
NE345L-10B	CEL	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se
NE350184C	CEL	获取价格	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
NE350184C-T1	CEL	获取价格	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

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