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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | LEAD FREE, CERAMIC, 84C, MICRO-X-4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | O-CRDB-F4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE350184C-T1A-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Silicon, N-Channel, Junction F |
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| NE3503M04 | CEL |
获取价格 |
NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET |
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| NE3503M04-A | CEL |
获取价格 |
NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET |
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| NE3503M04-A | RENESAS |
获取价格 |
NE3503M04-A |
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| NE3503M04-T2 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju |
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| NE3503M04-T2 | RENESAS |
获取价格 |
KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN |
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| NE3503M04-T2-A | CEL |
获取价格 |
NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET |
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| NE3503M04-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
NE3503M04-T2-A |
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| NE3503M04-T2B-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju |
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| NE3503M04-T2B-A | RENESAS |
获取价格 |
NE3503M04-T2B-A |
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