是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DFP | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.17 |
最小漏源击穿电压: | 4 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.06 A |
FET 技术: | HETERO-JUNCTION | 最高频带: | S BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F4 | JESD-609代码: | e6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NE3509M04-T2 | CEL | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
获取价格 |
|
NE3509M04-T2-A | NEC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
获取价格 |
|
NE3509M04-T2-A | CEL | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
获取价格 |
|
NE3509M04-T2-A | RENESAS | NE3509M04-T2-A |
获取价格 |
|
NE3509M04-T2B-A | NEC | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun |
获取价格 |
|
NE3509M04-T2B-A | RENESAS | NE3509M04-T2B-A |
获取价格 |