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NE3509M04-A

更新时间: 2024-02-10 00:34:46
品牌 Logo 应用领域
CEL 晶体放大器晶体管光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
11页 1257K
描述
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

NE3509M04-A 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:DFP包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.17
最小漏源击穿电压:4 V最大漏极电流 (ID):0.06 A
FET 技术:HETERO-JUNCTION最高频带:S BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-F4JESD-609代码:e6
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NE3509M04-A 数据手册

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Reference Data  
NE3509M04  
S-parameter  
VDS=2V ID=10mA  
freq  
(GHz)  
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
0.6  
0.7  
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0.9  
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S11  
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5.001  
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3.851  
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3.755  
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S12  
MAG  
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S22  
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ANG  
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-6.1  
ANG  
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ANG  
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ANG  
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-4.4  
-6.5  
-8.5  
-9.1  
-12.0  
-15.0  
-18.0  
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63.3  
61.8  
60.2  
58.7  
57.1  

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NE3509M04-T2 CEL L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

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NE3509M04-T2-A NEC RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Hetero-jun

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