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NE3512S02-T1C

更新时间： 2024-02-08 10:18:40

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CEL		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	266K
描述
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NE3512S02-T1C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, MICRO-X-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.015 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-PQMW-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROWAVE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.165 W
最小功率增益 (Gp)：	12.5 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE3512S02-T1C 数据手册

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE3512S02

C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL HJ-FET

FEATURES

•

Super low noise figure and high associated gain

NF = 0.35 dB TYP., G^a= 13.5 dB TYP. @ f = 12 GHz

Micro-X plastic (S02) package

•

APPLICATIONS

•

C to Ku-band DBS LNB

Other C to Ku-band communication systems

ORDERING INFORMATION

Part Number

Order Number

Package

Quantity

Marking

Supplying Form

NE3512S02-T1C NE3512S02-T1C-A S02 (Pb-Free) 2 kpcs/reel

NE3512S02-T1D NE3512S02-T1D-A 10 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 4 (Gate) faces the perforation side

of the tape

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

Part number for sample order: NE3512S02

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Symbol

VDS

VGS

Ratings

Unit

−3

IDSS

µA

°C

Gate Current

100

Note

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Ptot

165

Tch

+125

−65 to +125

Tstg

°C

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

Document No. PG10592EJ01V0DS (1st edition)

Date Published February 2006 CP(N)

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