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NE3512S02-T1C

更新时间： 2024-01-25 11:15:25

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CEL		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	266K
描述
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NE3512S02-T1C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, MICRO-X-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.3	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	3 V	最大漏极电流 (ID)：	0.015 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-PQMW-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROWAVE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.165 W
最小功率增益 (Gp)：	12.5 dB	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	FLAT
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NE3512S02-T1C 数据手册

NE3512S02

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise specified)

TOTAL POWER DISSIPATION

vs. AMBIENT TEMPERATURE

DRAIN CURRENT vs.

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

250

200

150

100

Mounted on Glass Epoxy PCB

(1.08 cm²× 1.0 mm (t) )

GS = 0 V

–0.2 V

–0.4 V

–0.6 V

100

150

200

(˚C)

250

1.0

Drain to Source Voltage VDS (V)

2.0

Ambient Temperature T

DRAIN CURRENT vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

DS = 2 V

–2.0

–1.0

Gate to Source Voltage VGS (V)

MINIMUM NOISE FIGURE,

ASSOCIATED GAIN vs. FREQUENCY

MINIMUM NOISE FIGURE,

ASSOCIATED GAIN vs. DRAIN CURRENT

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

f = 12 GHz

DS = 2 V

= 10 mA

DS = 2 V

NFmin

0.2

0.0

(mA)

Frequency f (GHz)

Drain Current I

Remark The graphs indicate nominal characteristics.

Data Sheet PG10592EJ01V0DS

1 234 5 6 7 8

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