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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, S02, MICRO-X-4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 4.24 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-PQMW-F4 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 12.5 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE3512S02-T1D | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NE3512S02-T1D-A | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| NE3513M04 | CEL |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3513M04 | RENESAS |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3513M04-T2 | RENESAS |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3513M04-T2 | CEL |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3513M04-T2-A | CEL |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3513M04-T2B | RENESAS |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3513M04-T2B | CEL |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3513M04-T2B-A | CEL |
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N-Channel GaAs HJ-FET, X to Ku Band Low Noise and High-Gain |
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