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NE3515S02-T1D-A

更新时间： 2024-01-11 10:45:38
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瑞萨 - RENESAS 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 217K
描述
NE3515S02-T1D-A

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NE3515S02-T1D-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：MICROWAVE, R-PXMW-F4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.32外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：4 V
最大漏极电流 (ID)：0.025 AFET 技术：HETERO-JUNCTION
最高频带：KU BANDJESD-30 代码：R-PXMW-F4
JESD-609代码：e6元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROWAVE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：11 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：FLAT
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NE3515S02-T1D-A 数据手册

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To our customers,  
Old Company Name in Catalogs and Other Documents  
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology  
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both  
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid  
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.  
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com  
April 1st, 2010  
Renesas Electronics Corporation  
Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)  
Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.  
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