5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 4 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.07 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | S-PQMW-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | MICROWAVE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.165 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11.5 dB | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE3520S03-T1D | RENESAS |
获取价格 |
N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
|
| NE3520S03-T1D-A | RENESAS |
获取价格 |
NE3520S03-T1D-A |
|
| NE3521M04 | RENESAS |
获取价格 |
N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
|
| NE3521M04-T2 | RENESAS |
获取价格 |
N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
|
| NE3521M04-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
|
| NE3521M04-T2B | RENESAS |
获取价格 |
N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
|
| NE3521M04-T2B-A | RENESAS |
获取价格 |
N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
|
| NE38018 | NEC |
获取价格 |
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET |
|
| NE38018_00 | NEC |
获取价格 |
GaAs HJ-FET L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER (New Plastic Package) |
|
| NE38018-67 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
BSS123LT1资料解读：电气参数及替代型号推荐
LTC1151C双通道±15V零漂移运算放大器全面解读
CNX36手册解读：产品特性、应用及封装引脚详解
PS9552资料解读：引脚信息、电气参数
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
