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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MICROWAVE, R-PXMW-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.8 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | K BAND |
| JESD-30 代码： | R-PXMW-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.165 W | 最小功率增益 (Gp)： | 11.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | UNSPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE3517S03-T1D-A | RENESAS |
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NE3517S03-T1D-A |
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| NE3519M04 | RENESAS |
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N-channel GaAs HJ-FET, L to C Band Low Noise Amplifier |
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| NE3519M04-T2 | RENESAS |
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RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE3519M04-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
NE3519M04-T2-A |
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| NE3519M04-T2B | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE3519M04-T2B-A | RENESAS |
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NE3519M04-T2B-A |
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| NE3520S03 | RENESAS |
获取价格 |
N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3520S03-A | RENESAS |
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NE3520S03-A |
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| NE3520S03-T1C | RENESAS |
获取价格 |
N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain |
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| NE3520S03-T1C-A | RENESAS |
获取价格 |
NE3520S03-T1C-A |
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