Datasheet > NE3514S02-T1C-A

NE3514S02-T1C-A

更新时间： 2024-01-15 09:43:35

品牌	Logo	应用领域
CEL		放大器
页数	文件大小	规格书
8页	265K
描述
K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NE3514S02-T1C-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, S02, MICRO-X-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	3 V
最大漏极电流 (ID)：	0.015 A	FET 技术：	HETERO-JUNCTION
最高频带：	K BAND	JESD-30 代码：	R-PXMW-F4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROWAVE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	8 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON

NE3514S02-T1C-A 数据手册

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE3514S02

K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER

N-CHANNEL HJ-FET

FEATURES

•

Super low noise figure and high associated gain

NF = 0.75 dB TYP., G^a= 10 dB TYP. @ f = 20 GHz

Micro-X plastic (S02) package

•

APPLICATIONS

•

20 GHz-band DBS LNB

Other K-band communication systems

ORDERING INFORMATION

Part Number

Order Number

Package

Quantity

Marking

Supplying Form

NE3514S02-T1C NE3514S02-T1C-A S02 (Pb-Free) 2 kpcs/reel

NE3514S02-T1D NE3514S02-T1D-A 10 kpcs/reel

• 8 mm wide embossed taping

• Pin 4 (Gate) faces the perforation side

of the tape

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

Part number for sample order: NE3514S02

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = +25°C)

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Symbol

VDS

VGS

Ratings

Unit

−3

IDSS

µA

°C

Gate Current

100

Note

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Ptot

165

Tch

+125

−65 to +125

Tstg

°C

Note Mounted on 1.08 cm²× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

Document No. PG10593EJ01V0DS (1st edition)

Date Published February 2006 CP(N)

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与NE3514S02-T1C-A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NE3514S02-T1D	CEL	K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	获取价格
NE3514S02-T1D-A	CEL	K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	获取价格
NE3515S02	CEL	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR	获取价格
NE3515S02	RENESAS	X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	获取价格
NE3515S02-A	CEL	X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER	获取价格
NE3515S02-T1C	RENESAS	X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	获取价格