是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, S02, MICRO-X-4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.82 | 其他特性: | LOW NOISE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 3 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.015 A | FET 技术: | HETERO-JUNCTION |
最高频带: | K BAND | JESD-30 代码: | R-PXMW-F4 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROWAVE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最小功率增益 (Gp): | 8 dB |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | UNSPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NE3515S02 | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NE3515S02 | RENESAS | X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE3515S02-A | CEL | X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER |
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NE3515S02-T1C | RENESAS | X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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NE3515S02-T1C | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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NE3515S02-T1C-A | CEL | X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
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