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NE3509M04-A

更新时间： 2024-02-13 05:09:19

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CEL		晶体放大器晶体管光电二极管 ISM频段
页数	文件大小	规格书
11页	1257K
描述
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

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NE3509M04-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DFP	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
最小漏源击穿电压：	4 V	最大漏极电流 (ID)：	0.06 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NE3509M04-A 数据手册

NE3509M04

TYPICAL CHARACTERISTICS TA = +25 °C)

DRAIN CURRENT vs. GATE to SOURCE VOLTAGE

Mounted on Glass Epoxy PCB

(1.08 cm²x 1.0mm(t) )

=2V

-1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0.0

Gate to Source Voltage VGS (V)

Note) Under examination

DRAIN CURRENT vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

100

MINIMUM NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN

vs. FREQUENCY

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

VDS=2V, ID=10mA

VGS = 0 V

- 0.1 V

NFmin

- 0.2 V

- 0.3 V

- 0.4 V

- 0.5 V

frequency (GHz)

Drain to Source Voltage VDS (V)

MINIMUM NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN

vs. DREIN TO SOURCE VOLTAGE

MINIMUM NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN

vs. DREIN CURRENT

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

f=2.0GHz, VDS=2V

f=2.0GHz, IDS=10mA

NFmin

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

Drein to Source Voltage VDS (V)

Drein Current ID (mA)

1 234 5 6 7...11

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