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NE3509M04-A

更新时间： 2024-02-03 22:10:17

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CEL		晶体放大器晶体管光电二极管 ISM频段
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11页	1257K
描述
L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

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NE3509M04-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DFP	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
最小漏源击穿电压：	4 V	最大漏极电流 (ID)：	0.06 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NE3509M04-A 数据手册

NE3509M04

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS(TA = +25 °C)

PARAMETER

Drain to Source Voltage

Drain Current

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

VDS

---

dBm

Input Power

---

ELECTRICAL CHARACTERISTICS TA = +25 °C)

PARAMETER

Gate to Source Leak Current

Saturated Drain Current

Gate to Source Cutoff Voltage

Trans conductance

SYMBOL TEST CONDITIONS MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

IGSO

IDSS

VGS(off)

VGS=-3V

---

0.5

VDS=2V, VGS=0V

VDS=2V, ID=50µA

VDS=2V, ID=10mA

-0.35

-0.5

---

-0.65

---

Noise Figure

---

0.4

17.5

0.8

---

VDS=2V, ID=10mA

2GHz

Associated Gain

14.5

VDS=2V,

ID=10mA(Non-RF)

Output Power at 1dB Gain

Compression Point

Po(1dB)

---

dBm

2GHz

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PRELIMINARY PRODUCT INFORMATION

123 4 5 6 7...11

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