是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.34 | 其他特性: | LOW NOISE |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 3 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.03 A |
FET 技术: | HETERO-JUNCTION | 最高频带: | S BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F4 | JESD-609代码: | e6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp): | 12 dB | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NE3508M04-T2 | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
获取价格 |
|
NE3508M04-T2-A | CEL | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
获取价格 |
|
NE3508M04-T2-A | RENESAS | NE3508M04-T2-A |
获取价格 |
|
NE3508M04-T2B-A | RENESAS | NE3508M04-T2B-A |
获取价格 |
|
NE3509M04 | CEL | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
获取价格 |
|
NE3509M04_06 | CEL | L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
获取价格 |