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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.18 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 3 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.07 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A |
| FET 技术： | HETERO-JUNCTION | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.125 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET RF Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NE3503M04-T2 | RENESAS |
功能相似  |
KU BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HFET, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE3503M04-T2B-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju |
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| NE3503M04-T2B-A | RENESAS |
获取价格 |
NE3503M04-T2B-A |
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| NE3505M04 | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3505M04-T2 | CEL |
获取价格 |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04 | CEL |
获取价格 |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04-A | CEL |
获取价格 |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04-A | RENESAS |
获取价格 |
NE3508M04-A |
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| NE3508M04-T2 | CEL |
获取价格 |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04-T2-A | CEL |
获取价格 |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04-T2-A | RENESAS |
获取价格 |
NE3508M04-T2-A |
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