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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.17 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 3 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.07 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.015 A | FET 技术： | HETERO-JUNCTION |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-F4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.125 W | 最小功率增益 (Gp)： | 10.5 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE3503M04-T2-A | CEL |
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NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET |
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| NE3503M04-T2-A | RENESAS |
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NE3503M04-T2-A |
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| NE3503M04-T2B-A | NEC |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Silicon, N-Channel, Hetero-ju |
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| NE3503M04-T2B-A | RENESAS |
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NE3503M04-T2B-A |
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| NE3505M04 | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3505M04-T2 | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04 | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04-A | CEL |
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HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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| NE3508M04-A | RENESAS |
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NE3508M04-A |
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| NE3508M04-T2 | CEL |
获取价格 |
HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR |
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