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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 5 pF | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDF06N60Z | ONSEMI |
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NDP06N60Z |
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| NDF06N60ZG | ONSEMI |
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NDP06N60Z |
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| NDF06N60ZH | ONSEMI |
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暂无描述 |
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| NDF06N62Z | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 , |
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| NDF06N62ZG | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 620 V, 0.98 , |
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| NDF08N50Z | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 |
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| NDF08N50ZG | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 500 V, 0.69 |
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| NDF08N50ZH | ONSEMI |
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功率 MOSFET，500V，7.5A，0.850Ω，单 N 沟道，TO-220FP |
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| NDF08N60Z | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 Ω |
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| NDF08N60ZG | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 Ω |
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